第一章 单元测试

1、判断题:
现代集成电路的生产可以使用各种工艺包括 硅工艺 和GaN GaAs SiGe等化合物工艺。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

2、判断题:
集成电路设计可以包含模拟集成电路设计、数字集成电路设计、数模混合集成电路设计等很多方面。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

第二章 单元测试

1、判断题:
NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

2、判断题:
MOS管器件流控电压源。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

3、判断题:
MOS管的小信号输出电阻是由 MOS 管的体效应产生的。( )
选项:
A:对
B:错
答案: 【

4、判断题:
MOS器件中,保持 VDS 不变,随着 VGS的增加, MOS 器件将从截止区到线性区最后到饱和区。( )
选项:
A:错
B:对
答案: 【

5、单选题:
在CMOS 模拟集成电路设计中,我们一般让MOS 管工作在( )区。
选项:
A:饱和区
B:三极管区
C:深三极管区
D:亚阈值区
答案: 【饱和区

6、单选题:
MOS管一旦出现 () 现象,此时的 MOS 管将进入饱和区。( )
选项:
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断

7、单选题:
( ) 表征了MOS器件的灵敏度。
选项:
A:gmb
B:uncox
C:gm
D:ro
答案: 【gm

8、单选题:
模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是( )
选项:
A:输入电阻
B:增益
C:输出摆幅
D:输出电阻
答案: 【输出摆幅