第一章 单元测试

1、判断题：
现代集成电路的生产可以使用各种工艺包括 硅工艺 和GaN GaAs SiGe等化合物工艺。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

2、判断题：
集成电路设计可以包含模拟集成电路设计、数字集成电路设计、数模混合集成电路设计等很多方面。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

第二章 单元测试

1、判断题：
NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

2、判断题：
MOS管器件流控电压源。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

3、判断题：
MOS管的小信号输出电阻是由 MOS 管的体效应产生的。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

4、判断题：
MOS器件中，保持 VDS 不变，随着 VGS的增加， MOS 器件将从截止区到线性区最后到饱和区。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

5、单选题：
在CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让MOS 管工作在（ ）区。
选项：
A:饱和区
B:三极管区
C:深三极管区
D:亚阈值区
答案: 【饱和区】

6、单选题：
MOS管一旦出现 () 现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。（ ）
选项：
A:夹断
B:反型
C:导电
D:耗尽
答案: 【夹断】

7、单选题：
( ) 表征了MOS器件的灵敏度。
选项：
A:gmb
B:uncox
C:gm
D:ro
答案: 【gm】

8、单选题：
模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（ ）
选项：
A:输入电阻
B:增益
C:输出摆幅
D:输出电阻
答案: 【输出摆幅】