2024知到答案 芯片基础--模拟集成电路设计（山东联盟） 最新智慧树满分章节测试答案
第一章 单元测试
1、判断题：
跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】
2、判断题：
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
3、判断题：
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
4、判断题：
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
5、判断题：
MOSFET的特征尺寸越来越小，本征速度越来越快（已可与双极器件相比较），现在几GHz～几十GHz的CMOS模拟集成电路已经可批量生产。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
6、判断题：
相对于数字电路来说，模拟集成电路的设计更加基础，更加灵活。
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】
7、单选题：
片上系统，又称SOC，其英文全称是：
选项：
A:Systemon Chip
B:Systemofcomputer
C:System Operations Center
D:Separation of concerns
答案: 【Systemon Chip】
8、单选题：
互补金属氧化物半导体，英文简称CMOS，其英文全称为：
选项：
A:CargoMachineOf Semiconductor
B:Complementary Metal OxideSystem
C:Complementary Machine Of Semiconductor
D:Complementary Metal Oxide Semiconductor
答案: 【Complementary Metal Oxide Semiconductor】
9、单选题：
模拟数字转换器, 英文简称ADC, 英文全称为：
选项：
A:Ambulance to Digital Converter
B:Ambulance to Destination Converter
C:Analog-to- Destination Converter
D:Analog-to-Digital Converter
答案: 【Analog-to-Digital Converter】
第二章 单元测试
1、判断题：
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
2、判断题：
如果一个电路的最高电压是
，最低电压是
，那么NMOS器件的衬底应该接。
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】
3、判断题：
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
4、单选题：
下列关于MOS版图说法不正确的是（）
选项：
A:源结和漏结的一个尺寸等于W，另外一个尺寸要满足接触孔的需要，并且要满足设计规则
B:栅极的接触孔应该开在沟道区外
C:版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里
D:版图中沟道长度L的最小值由工艺决定
答案: 【版图中栅极的接触孔可以开在沟道区里】
5、单选题：
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
选项：
A:在器件制造过程中，可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
B:
若
，则 NMOS器件关断
C:
当
时，NMOS器件导通
D:
NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅源电压
答案: 【
若，则 NMOS器件关断
】
6、多选题：
下列关于NMOS器件的伏安特性说法正确的是（）
选项：
A:
当
时，NMOS器件工作在截止区
B:
当
时，且
时，NMOS器件工作在深线性区
C:
当
，并且
NMOS器件工作在线性区
D:
当
，
时，NMOS器件工作在饱和区
答案: 【
当时，NMOS器件工作在截止区
;
当，并且NMOS器件工作在线性区
;
当，时，NMOS器件工作在饱和区
】
7、多选题：
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
选项：
A:L是器件的沟道长度，W是器件的宽度
B:tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定
C:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L
D:一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的栅氧化层的厚度tox
答案: 【L是器件的沟道长度，W是器件的宽度;
tox是器件栅氧化层的厚度，由工艺决定;
一般所说的90nm工艺，其中的90nm是指器件的最小沟道长度L】
8、多选题：
下列关于体效应的说法，正确的是（）
选项：
A:
改变衬底电势
可能会产生体效应。
B:
不改变衬底电势也可能会产生体效应。
C:
源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差
不为0，就会产生体效应。
D:体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
答案: 【
改变衬底电势可能会产生体效应。
;
不改变衬底电势也可能会产生体效应。
;
源电压相对于衬底电势发生改变，使得源衬电势差不为0，就会产生体效应。
;
体效应导致设计参数复杂，模拟集成电路设计往往不希望其存在，但也有利用体效应的电路。
】
9、多选题：
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
选项：
A:
MOS管由0增大到大于阈值电压
，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当
时，仍有
存在
B:
当
时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
C:
MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计
D:亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
答案: 【
MOS管由0增大到大于阈值电压，经历截止---弱反型---强反型，这是一个渐进的过程，故当时，仍有存在
;
当时，漏极电流以有限速度下降，导致功率损耗或模拟信息的丢失
;
MOS管亚阈值电流一般为几十~几百nA，常用于低功耗放大器、带隙基准设计
;
亚阈值区的跨导比饱和区（强反型区）跨导大，有利于实现大的放大倍数
】
10、多选题：
下列关于MOS模型的说法正确的有（）
选项：
A:MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响
B:MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数
C:当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算
D:MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立
答案: 【MOS器件的高频小信号模型，除考虑跨导、体效应以及沟道调制效应等参数，还需要考虑各个寄生电容和寄生电阻的影响;
MOS器件的低频小信号模型，主要考虑了跨导，体效应以及沟道调制效应等参数;
当信号相对直流偏置工作点而言较小且不会显著影响直流工作点时，可用小信号模型简化计算;
MOS器件的大信号模型一般由I/V特性关系式，各寄生电容计算式等推导建立】