2024知到答案微电子器件基础（湖南理工学院）最新智慧树满分章节测试答案

第一章单元测试

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1、判断题：
1947年，威廉·肖克利、约翰·巴顿和沃特·布拉顿在单晶锗上研制出了第一支点接触式晶体管（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

2、判断题：
1958年，美国工程师基尔比设计了世界第一块集成电路（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

3、判断题：
MOS管是三端器件，有放大和开关作用。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】

4、判断题：
双极晶体管是三端器件，有放大和开关作用。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

5、判断题：
在二极管两端施加正向电压，二极管导通，施加反向电压，二极管截止。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

1、单选题：
给PN结施加正向偏压时，其势垒宽度会（）。
选项：
A:变宽
B:不确定
C:不变
D:变窄
答案: 【变窄】

2、单选题：
在PN结的空间电荷区中，内建电场的方向是（）。
选项：
A:N区一侧
B:由P区指向N区
C:P区一侧
D:由N区指向P区
答案: 【由N区指向P区】

3、判断题：
PN结的掺杂浓度越高，接触电势差就越大。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】

4、判断题：
在PN结的空间电荷区中，P区一侧带正电荷，N区一侧带负电荷。（）
选项：
A:错
B:对
答案: 【错】

5、判断题：
外加电压越高，势垒电容越大。（）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】