第一章 单元测试

1、多选题：
集成电路产业包括三大组成部分，分别是（ ）
选项：
A:集成电路测试
B:集成电路设计
C:集成电路制造
D:集成电路封装
答案: 【集成电路设计;
集成电路制造;
集成电路封装】

2、单选题：
衡量集成电路制造工艺先进水平的最主要指标是（ ）
选项：
A:集成度
B:材料
C:成本
D:线宽
答案: 【线宽】

3、多选题：
集成电路制造产业的两大技术路线是（ ）
选项：
A:多样化定制化
B:高产出
C:等比例缩小
D:高性能化
答案: 【多样化定制化;
等比例缩小】

4、单选题：
1946年美国宾州大学制造的第一台计算机所采用的开关器件是（ ）
选项：
A:场效应晶体管
B:双极型晶体管
C:真空电子管
D:继电器
答案: 【场效应晶体管】

5、多选题：
产业界采用的晶体管结构类型包括（ ）
选项：
A:FIN型晶体管
B:平面型晶体管
C:环栅型晶体管
D:叉指型晶体管
答案: 【FIN型晶体管;
平面型晶体管;
环栅型晶体管】

第二章 单元测试

1、单选题：
提高光学光刻分辨率的方法包括（ ）
选项：
A:减小工艺因子，增加波长，增加数值孔径
B:增加工艺因子，增加波长，减小数值孔径
C:增加工艺因子，减小波长，减小数值孔径
D:减小工艺因子，减小波长，增加数值孔径
答案: 【减小工艺因子，减小波长，增加数值孔径】

2、单选题：
浸没式光刻工艺的采用液体填充透镜与硅片之间的空间，从而提高分辨率，其主要是改变了哪一个参数（ ）
选项：
A:数值孔径
B:工艺因子
C:光波长
D:光的衍射
答案: 【数值孔径】

3、单选题：
决定电子束光刻分辨率的最关键因素是（ ）
选项：
A:电压
B:电子波长
C:束斑直径
D:电流
答案: 【束斑直径】

4、单选题：
X射线光刻工艺最大的优点是（ ）
选项：
A:曝光面积大
B:设备成本低
C:分辨率高
D:穿透深度大
答案: 【穿透深度大】

5、多选题：
下列光刻方式中，哪种方式需要掩膜的是 （ ）
选项：
A:X射线光刻
B:步进扫描投影式光学光刻
C:电子束光刻
D:极深紫外光刻
答案: 【步进扫描投影式光学光刻;
电子束光刻;
极深紫外光刻】

6、多选题：
影响电子束光刻分辨率的主要因素包括（ ）
选项：
A:机械像差
B:掩模精度
C:电子像差
D:临近效应
E:色差
F:数值孔径
答案: 【机械像差;
电子像差;
临近效应;
色差】

7、多选题：
极深紫外光刻（EUV）技术中，由于极深紫外光波长极短，导致光学系统必须重新设计，与普通紫外光刻技术相比，以下哪些是极深紫外光刻机特有的技术（ ）
选项：
A:反射型掩模
B:准分子激光光源
C:移相掩模
D:真空腔体
E:反射镜光学聚焦系统
答案: 【反射型掩模;
真空腔体;
反射镜光学聚焦系统】

8、多选题：
极深紫外光刻是现阶段分辨率最高的光刻技术，该技术在原有深紫外光刻技术上进一步开发而成。请问以下技术能否沿用至极深紫外光刻机上？（ ）
选项：
A:浸没式光刻技术
B:步进扫描曝光技术
C:移相掩膜技术
D:高数值孔径透镜组
答案: 【步进扫描曝光技术;
移相掩膜技术】

9、判断题：
邻近效应存在于电子束光刻和X射线光刻。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】

10、判断题：
影响光刻分辨率的三大因素是：波长、数值孔径和焦深。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【错】