2024知到答案 CMOS数字集成电路（宁波大学） 最新智慧树满分章节测试答案
第一章 单元测试
1、单选题：
低电平噪声容限NML表达式为（ ）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】
2、单选题：
对于反相器的电压传输特性（VTC），下面描述错误的是（ ）。
选项：
A:输入为高电平时，输出为低电平
B:输入为低电平时，输出为高电平
C:门的开关阈值VM为VDD/2
D:VIH和VIL定义为VTC增益等于-1的点
答案: 【门的开关阈值VM为VDD/2】
3、单选题：
对于一个由N个反相器构成的环振电路（N为奇数），若反相器的传播延时为tp，那么电路的震荡周期T的表达式为（ ）。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案: 【】
4、多选题：
一个理想的反相器具有如下哪些特性（ ）。
选项：
A:理想门的输入和输出阻抗分别为无穷大和零
B:门的阈值位于逻辑摆幅的中点
C:高电平和低电平噪声容限均等于电压摆幅的一半
D:在过渡区有无限大的增益
答案: 【理想门的输入和输出阻抗分别为无穷大和零;
门的阈值位于逻辑摆幅的中点;
高电平和低电平噪声容限均等于电压摆幅的一半;
在过渡区有无限大的增益】
5、判断题：
数字电路的噪声容限应当大于0，并且越大越好。（ ）
选项：
A:对
B:错
答案: 【对】
第二章 单元测试
1、单选题：
在晶圆表面形成多晶硅通常采用哪种工艺步骤（ ）。
选项：
A:溅射工艺
B:化学气相淀积
C:扩散工艺
D:离子注入
答案: 【化学气相淀积】
2、单选题：
淀积金属层时，需要晶圆表面保持适度的平整，表面平坦化通常需要哪种工艺（ ）。
选项：
A:溅射工艺
B:化学机械抛光
C:等离子刻蚀
D:退火工艺
答案: 【化学机械抛光】
3、多选题：
压焊技术的主要缺点有（ ）。
选项：
A:由于制造过程和不规则的出线使寄生参数的确切值很难预测
B:导线的连接必须一个接一个依次进行，随着引线数目的增加会使制造时间较长
C:压焊线具有较高的自感以及与相邻信号线之间的互感
D:较多的引线数目使设计一个能避免线间短路的压焊形式更加困难
答案: 【由于制造过程和不规则的出线使寄生参数的确切值很难预测;
导线的连接必须一个接一个依次进行，随着引线数目的增加会使制造时间较长;
压焊线具有较高的自感以及与相邻信号线之间的互感;
较多的引线数目使设计一个能避免线间短路的压焊形式更加困难】
4、多选题：
以下哪些工艺步骤属于光刻工艺（ ）。
选项：
A:化学机械抛光
B:光刻机曝光
C:显影与烘干
D:涂光刻胶
答案: 【光刻机曝光;
显影与烘干;
涂光刻胶】
5、判断题：
封装的冷却效率取决于包括封装衬底和主体在内的封装材料的热阻、封装的结构以及在封装和冷却介质之间热传导的效率。（ ）
选项：
A:错
B:对
答案: 【对】